CMOS器件的功耗主要是动态功耗(静态功耗几乎为0),也就是器件在开关过程中既有电压、又有电流时的功率。因此,功耗直接关系到器件的开关速度。所以提高开关速度即可降低功耗。响应时间延迟与两个因素有关:器件本身造成的延迟和负载电容充放电所造成的延迟。一般,在电流不是很小时,负载延迟往往起很大作用,所以需要降低输出电容和减小充放电通路的电阻(与器件本身的导通电阻有关)。器件的本征延迟可通过提高器件的开关速度(减短载流子的渡越时间)来降低。 原文链接:http://shuzhiren.com/post/71943.html
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