Ⅰ．第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅

数智人2023-12-27产业问答49

Ⅰ（1）（2）AC（3）非极性分子 sp 2Ⅱ（1） 6（2）略原文链接：http://shuzhiren.com/post/71648.html

标签: 第三代半导体

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全球半导体业己处于成熟阶段，如增长缓慢，兼并加剧，以及”大者恒大”。除了三星，台积电，英特尔，东芝，海力士等少数超级大厂仍继续投资之外，更多的IDM芯片制造厂是执行“轻晶园厂策略”，”Fablite”...

以碳化硅(SiC) 、氮化镓( GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料称为第三代半导体材料。...

（1）A．GaAs晶体中As分布于晶胞体心，Ga分布于顶点和面心，而NaCl中阴阳离子分别位于晶胞的顶点、面心以及棱和体心，二者结构不同，故A错误； B．同周期元素从左到右第一电离能逐渐增大，则第一电...

半导体概念一共有23家上市公司，其中11家半导体概念上市公司在上证交易所交易，另外12家半导体概念上市公司在深交所交易。根据云财经大数据智能题材挖掘技术自动匹配，半导体概念股的龙头股最有可能从以下几个...

（15分）（1）BC （2分）（2）（CH 3 ） 3 Ga + AsH 3 GaAs + 3CH 4 （3分）（3）三角锥. （2分） sp 2 （2分）（4）铜是金属晶体，由金属阳离子和...

（1）As是35号元素，属于主族元素，其最外层电子就是其价电子，所以As基态原子的价电子排布式：4s24p3，故答案为：4s24p3；（2）同一周期元素中，元素的电负性随着原子序数的增大而增大，第一电...