太阳能硅片的制造(太阳能硅片)

1、什么叫太阳能级硅片

将光能转化为电能 简单的说吧。就是由于光子的能量照射到硅和锗构成的半导体pn结中的电子孔穴位置，而电子就会产生迁跃，从而在两端的半导体硅中产生电压，如果该电压形成回路，则产生电流。duojinggul to一yongnengd一oneh- 多晶硅太阳能电池(polyerystaline一silicon solar cen)用多晶硅材料制成的pn结太阳能电 池。多晶硅是由许多细小的单晶顺粒非定向排列而成， 所以它的许多基本特性都和单晶硅相同。主要区别是 多晶硅中的单晶颗粒之间存在着晶界，而晶界往往有 许多非晶态硅原子和杂质原子。紧邻晶界的晶粒中，位 错、缺陷、应力、应变也较多，使得多晶硅中由人射光 激发而产生的光生载流子的寿命比较短，因而多晶硅 太阳能电池中的复合电流大，开路电压、短路电流、填 充因子及效率均没有单晶硅电池高。而一般的光电特 ~10种硅带技术在研究，其中有四种比较成熟，即:① 定边喂膜法(efg);②跳状枝晶法(db);③硅筒法 (sb);④电喷法。这四种方法获得的带硅厚约200料m. 沿带硅生长方向看，晶较取向比较一致，而沿带宽方向 看，晶向比较复杂，所以常称这种有纤维状晶体结构的 带硅为半晶硅。用半晶硅片制成的太阳能电池，平均效 率已突破10%，有的已达15%。其中:①定边喂膜法， 是用刻有狭缝的石墨模具浸人硅熔液，靠毛细现象，硅 液沿狭缝上升，用籽晶硅片把硅液沿狭缝冷凝后向上 拉伸，即得到等宽等厚的带硅;②跳状枝晶法，是用两 根细籽晶平行伸入硅熔液，靠表面张力，硅液在籽晶之 间形成一个蹼状弯月面状的硅膜，把籽晶向上提伸.这 种蹼状硅膜同时伸长，形成蹼状带硅;③硅筒法，是用 宽约125 mm、厚约0.2 mm的9片籽晶，围成8边形， 伸人硅熔液，然后向上提拉，即可得到一个8边形的硅 筒，用激光分割后，即可得到厚度均匀、质量较好的硅 片。由于硅筒生长速度快、切片损耗低，用硅筒基片制 成的太阳能电池的效率已达12%~14.5%，因而已具 备产业化的条件;④电喷法，是由多晶硅粉末电喷到耐 高温衬底上，形成宽60cm、长数米、可以绕曲的多晶 硅带。用这种电喷多晶硅带材料制成的光伏组件，典型 的参数为:输出功率尸。、匕90wp，短路电流i、一5.8 a，开路电压voc二21.gv，几何尺寸(lxwxh)- 1633 mm派660 mmx35mm。 (5)太阳级硅:一般认为它是一种能够制造出效率 大于10%的太阳能电池用的廉价硅.虽然已经花费了 巨额经费摸索了多种杂质元素对太阳能电池的影响， 但是至今尚无关于太阳级硅的精确定义。目前正在设 法从沸腾床反应炉和从冶金硅直接纯化法制备太阳级 硅。用锌催化从沸腾床反应炉产出的高纯颗粒状多晶 硅，已可用作硅太阳能电池的原料。 性和制作工艺与单晶硅太阳能电池相同. 因为拉制单晶硅需要消耗大量能源以及昂贵的高 纯石英增祸，人们从20世纪60年代起探索以多晶硅 作为制造太阳能电池的材料。其中主要有: (l)薄膜多晶硅:在廉价的衬底(如冶金硅、石墨、 陶瓷以至于金属)上，用化学汽相沉积(vcd)法、等 离子增强的化学汽相沉积(pcdv)法和金属有机物化 学汽相沉积(m〔x二vd)法，生长一层20~50拌m的多 晶薄层，由此做成的多晶硅太阳能电池效率已大于 10肠。 (2)铸锭多晶硅:用石墨增涡把熔融硅定向冷却， 以获得晶界纵向排列、晶粒粗大的多晶硅锭，用多线切 俐机或内圆切割机切成。.2~0.4讯m厚的大面积多 晶硅片。以此制成的多晶硅太阳能电池，效率已达 17%~18写.与拉制单晶硅相比，这种铸锭硅生产周期 短、产t大(单个铸锭已达240 kg)、价格低。在德国， 这种太阳能电池已经开始取代单晶硅成为第二代实用 ┌—┬—┬—┬——┬—┐ │ │ │ │ │ │ │ │ ├—┼——┼—┤ │ │ │! │盯- │ │ └—┴—┴—┴——┴—┘ 柱形晶粒的多晶硅 太阳能电池 的太阳能电池。图示为 这种多晶硅太阳能电 池的示意图. (3)片状多晶硅: 当液体硅滴到旋转的 平台上，很快可以形成 一片厚约0.1~o·2 mm的多晶硅片。用这种称为滴转法制成的多晶硅太 阳能电池，效率已突破10%. (4)带状多晶硅:直接从硅液中拉出多晶带作为电 池的羞体材料，然后用激光切割成方形太阳能电池基 片.它不擂机械切割，可节省一半硅材料，还可节省为 消除机械切割损伤所必需的清洗、腐蚀试剂和人工。这 种降低成本的途径已引起人们的注意.

2、硅片和太阳能硅片的差异？

制造太阳能电池的硅片和其制造方法及装置，该硅片是由低纯度硅 底板和高纯度硅层构成，高纯度硅层是用熔融状态的高纯度硅的硅原子在低纯度硅底板上结 晶凝固而成，可以大大提高硅片的高纯度硅的利用率。并提供了六种硅片的制造方法及装置， 分别是甩脱式硅片制造方法及装置，倾斜式硅片制造方法及装置，连续式硅片制造方法及装 置，模铸式硅片制造方法及装置，竖立式硅片制造方法及装置和滚涂式硅片制造方法和装置。超薄太阳能级硅片本体为上、下两平行平面组成的方形薄片，方形薄片四角为 四个相同的45°倒角，上、下两平面的距离为165μm-195μm范围，翘曲度 小于75μm，表面光洁、平整、无瑕疵。超薄太阳能级硅片切割工艺是采用硅 晶棒开方机将硅晶圆棒直接切割成截面为方形、四角为相同45°倒角的八角方 型柱体，切削余料为块状，可回炉再利用。还采用优化切割工艺在多线切割机 上切割成超薄太阳能级硅片，保证超薄太阳能级硅片的制造质量，提高生产效 率，降低了超薄太阳能级硅片的制造成本。在太阳能电池片生产的硅片处理过 程中，硅片可能会从载片篮中浮起。本实用新型包括对称设置的两片放置 板，放置板上平行设置有多个放置槽，两片放置板的一边通过连接片连接、 另一边通过连接条连接，形成方筐结构。每个放置板的两个侧边开有限位 条安装口，限位条架设在两片放置板上。所述的限位条为工字形，其四个 角与对应的放置板的安装口活动连接。本实用新型结构简单，限位条的设 置有效避免了硅片从载片篮中浮起的发生。太阳能电池硅片的传 输装置，它包括两个相同规格的支撑架，每一个支撑架都包括第一梯级和第二 梯级，第一梯级位于第二梯级的外侧，第一梯级的高度比第二梯级的高度高。 该太阳能电池硅片的传输装置的优点在于当硅片大小和形状改变的情况下，不需要更换运输装置的任何部分，这样可以省去了更换后的校准等工作。

3、太阳能电池硅片（单晶硅或多晶硅）的用途是什么?

任务占坑

4、太阳能硅片产生不良的原因

制造太阳能电池的硅片和其制造方法及装置，该硅片是由低纯度硅 底板和高纯度硅层构成，高纯度硅层是用熔融状态的高纯度硅的硅原子在低纯度硅底板上结 晶凝固而成，可以大大提高硅片的高纯度硅的利用率。并提供了六种硅片的制造方法及装置， 分别是甩脱式硅片制造方法及装置，倾斜式硅片制造方法及装置，连续式硅片制造方法及装 置，模铸式硅片制造方法及装置，竖立式硅片制造方法及装置和滚涂式硅片制造方法和装置。超薄太阳能级硅片本体为上、下两平行平面组成的方形薄片，方形薄片四角为 四个相同的45°倒角，上、下两平面的距离为165μm-195μm范围，翘曲度 小于75μm，表面光洁、平整、无瑕疵。超薄太阳能级硅片切割工艺是采用硅 晶棒开方机将硅晶圆棒直接切割成截面为方形、四角为相同45°倒角的八角方 型柱体，切削余料为块状，可回炉再利用。还采用优化切割工艺在多线切割机 上切割成超薄太阳能级硅片，保证超薄太阳能级硅片的制造质量，提高生产效 率，降低了超薄太阳能级硅片的制造成本。在太阳能电池片生产的硅片处理过 程中，硅片可能会从载片篮中浮起。本实用新型包括对称设置的两片放置 板，放置板上平行设置有多个放置槽，两片放置板的一边通过连接片连接、 另一边通过连接条连接，形成方筐结构。每个放置板的两个侧边开有限位 条安装口，限位条架设在两片放置板上。所述的限位条为工字形，其四个 角与对应的放置板的安装口活动连接。本实用新型结构简单，限位条的设 置有效避免了硅片从载片篮中浮起的发生。太阳能电池硅片的传 输装置，它包括两个相同规格的支撑架，每一个支撑架都包括第一梯级和第二 梯级，第一梯级位于第二梯级的外侧，第一梯级的高度比第二梯级的高度高。 该太阳能电池硅片的传输装置的优点在于当硅片大小和形状改变的情况下，不需要更换运输装置的任何部分，这样可以省去了更换后的校准等工作。

5、太阳能电池硅片制作过程

石英砂，也就是硅，经过各种技术提纯等工艺.....你问题的答案要给几本书你看才算真正回答的完。还有专业人只说太阳电池

6、太阳能硅片对身体有哪些害处

对人体免疫功能有很大的害处

7、求太阳能硅片的尺寸规格国家标准。

很多种，常用的有0.12 0.14 0.16几种，材质是钢丝经过一系列工序（粗拉，预处理，中丝热处理，中拉，电镀，湿拉）而产生的一种高强度高韧性的一种切割材料！

8、太阳能硅片有毒么？

7.1 宁晋晶龙集团 2777.2 天威英利YGE 377.3 LDK（江西） 557.4 浙江昱辉 747.5 江苏顺大半导体 857.6 常州天合光能 927.7 江阴海润 1087.8 锦州阳光能源有限公司 1147.9 镇江环太硅 1177.10 新疆新能源 1247.11 锦州市佑华新能源有限公司（台湾合晶收购） 1317.12 锦州华日硅材料有限公司 1367.13 宁波晶元太阳能（中意太阳能） 1387.14 精功绍兴太阳能 1427.15 锦州华昌硅材料有限公司 1477.16 锦州新日硅材料有限公司 1507.17 高佳太阳能 1547.18 辉煌硅能源（镇江）有限公司 159都是核心企业你参考一下希望对你有帮助 原文链接：http://shuzhiren.com/post/62353.html