华微电子举行“新基建-芯片制造的新风口”京媒交流会

2020年8月12日，吉林华微电子在北京银泰中心会议大厅，举行了“新基建-芯片制造的新风口”华微电子京媒交流会。中国工程院院士周济，中国企业联合会、中国企业家协会常务理事、工业和信息化科技成果转化联盟专家委员会主任陈玉涛，北京大学物理系教授、宽禁带研究中心负责人沈波等嘉宾莅临现场，对功率半导体、新材料、新技术发展趋势进行报告，对华微电子产品、技术发展等给予高度认可。华微电子客户深圳麦格米特、上海纯米技术、深圳高斯宝电气、深圳创维电气、苏州汇川均有代表参会。在京30多家媒体记者参加此次交流会。（华微电子首席执行官于胜东）吉林华微电子负责人现场向记者及来宾介绍了在半导体芯片领域华微电子所取得的最新突破，并就媒体记者关心的问题进行了现场解答。华微电子针对新能源汽车开发的系列IGBT产品成为本次京媒交流会上最大亮点。IGBT模块是新能源汽车动力系统的核心器件，华微电子开发的系列IGBT产品均采用先进的TRENCH+FS结构设计和超薄片工艺技术，目前650V和1200V系列IGBT模块，最大电流800A。公司正在研发DSC双面散热模块，同时集成了温度和电流传感，能够进一步降低新能源汽车控制器体积，降低整车损耗，提升整机效率，提高续航里程。（华微电子首席技术官李强，现场与媒体互动中）在本次京媒交流会上，华微电子重点介绍了其产品在新基建领域的各种关键应用。我国新基建将大力发展新能源汽车产业，与之配套的新能源汽车充电桩需求不断增加。华微电子在充电桩领域，三相维也纳输入整流（PFC）部分可以使用FRED和超结MOSFET，在LLC谐振电路可以使用超结MOSFET，在输出输出整流部分可以提供FRD和SiCSBD的解决方案。服务器电源是新基建中的大数据中心建设中不可或缺的重要支撑，数据中心服务器的电源和输出整流部分，需要大量的超结MOS和中低MOS器件。华微电子的600~650V超结MOS导通电阻可以做到35毫欧，中低MOS电阻可以做到2毫欧，能够高效率的电力转换，数据中心建设提供有力支撑。5G网络建设的基础是5G基站的大规模建设，根据工信部数据显示，自2019年我国正式启动5G商用，全国开通的5G基站12.6万个，预计2020年将建设超过60万~80万个5G基站，5G通信电压在PFC、DC/DC、同步整流、电池保护部分功率半导体器件不可或缺，华微电子可以提供超结MOSFET、中低压MOSFET和SiC产品。华微电子致力于工业变频应用的功率器件的制造与研发，为中国工业互联网的发展提供坚实的中国制造基础。能够提供包括IGBT、IPM、PM模块和MOSFET产品的解决方案。华微电子前身为成立于1965年的吉林市半导体厂，尽管早在上世纪60年代初，国家就在东三省布局建设了以辽晶、哈晶为代表的十多家半导体厂，但时至今日，只有吉林华微在一无产业环境和市场优势，二无资源优势的条件下，顽强地生存下来，并逐步发展壮大，是我国东北地区硕果仅存的一家整建制半导体企业。2001年3月16日，公司在上海证券交易所A股主板上市（股票代码为600360）。目前，华微电子拥有功率半导体器件4英寸晶圆生产线一条、5英寸生产线一条、6英寸生产线一条、8英寸生产线一条。2019年，公司生产功率半导体晶圆400万片。华微电子产品覆盖了功率半导体所有分支，研发和销售的产品包含IGBT、功率MOS、快恢复二极管、可控硅、JFET晶体管、功率集成电路等，为全国品类最齐全厂家。经科技部、中科院等国家机构认证，华微电子被列为国家博士后科研工作站、国家创新型企业、国家企业技术中心、CNAS实验室。成为松下、日立、海信、创维、美的、长虹等国内外知名企业的配套供应商。随着国家新型基础设施建设战略发布，中央及地方政府相关政策密集出台，纷纷为“新基建”指路护航。不同于传统基础设施的工程建设，“新基建”更多是利用互联网、物联网技术，实现对生产要素的“重建”。“新基建”主要涉及“5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心、人工智能、工业互联网”七大领域。华微电子负责人表示：“5G、新能源等‘新基建’均涉及功率半导体芯片等基础元器件，功率半导体产业与‘新基建’息息相关，是‘新基建’的‘心脏’。半导体芯片作为‘新基建’领域的底层支撑，叠加半导体产业化的结构机遇，本土功率半导体芯片需求将趋于旺盛。”华微电子“新基建-芯片制造的新风口”京媒交流会的举行，预示着在国家新基建的风口下，在内循环经济战略下，华微电子将会迎来更大的发展机遇。作为国内门类最齐全的功率半导体器件IDM企业，未来，在5G、人工智能、工业互联网等领域，华微电子的身影都不会缺席，将继续为中国半导体事业开拓创新贡献力量。 原文链接：//shuzhiren.com/post/8038.html