TGBT模块与达林顿模块各有什么优缺点？

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件.1 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。2 GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。达林顿模块，它把GTR、续流二极管、辅助电路做到一个模块内。1 达林顿模块其优点是，将两者的晶体管按照电流流动的复合材料，它比一般的晶体管放大器的优点是高，具体的放大系数等于晶体管放大器。在功率放大器和电源供应，往往与林顿的到来。 2 达林顿模块缺点是输出电压下降与一般的开关晶体管相比，多个系列，它是2晶体管的输出电压下降的总和的总和。作为第一级三极管功率小，输出差一般较大，导致开关达林顿晶体管通用开关三管输出下降约3倍。使用时，应特别注意高温是否具有较高的不良影响，其他高放大倍数容易受到干扰，在设计中应注意相关防护措施。 原文链接：//shuzhiren.com/post/71918.html