全球半导体业己处于成熟阶段，如增长缓慢，兼并加剧，以及”大者恒大”。除了三星，台积电，英特尔，东芝，海力士等少数超级大厂仍继续投资之外，更多的IDM芯片制造厂是执行“轻晶园厂策略”，”Fablite”...
以碳化硅(SiC) 、氮化镓( GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料称为第三代半导体材料。...
Ⅰ（1） （2）AC（3）非极性分子 sp 2Ⅱ（1） 6（2） 略...
（1）A．GaAs晶体中As分布于晶胞体心，Ga分布于顶点和面心，而NaCl中阴阳离子分别位于晶胞的顶点、面心以及棱和体心，二者结构不同，故A错误； B．同周期元素从左到右第一电离能逐渐增大，则第一电...
GaN ，氮化镓 这是一种具有较大禁带宽度的半导体,属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料，也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研...
（15分）（1）BC （2分）（2）（CH 3 ） 3 Ga + AsH 3 GaAs + 3CH 4 （3分）（3）三角锥. （2分） sp 2 （2分）（4）铜是金属晶体，由金属阳离子和...
